在近期召开的ISSCC 2026（国际固态电路会议）上，三星、SK海力士、英伟达等巨头披露了多项关键技术细节。三星展示了基于1c DRAM核心层和SF4逻辑基底层的HBM4内存，其带宽高达3.3 TB/s，引脚速度达到13 Gb/s，性能远超JEDEC官方标准，旨在满足英伟达下一代Rubin AI芯片的严苛需求。同时，会议还聚焦了共封装光学（CPO） 技术在解决AI芯片数据传输瓶颈方面的*新进展，以及逻辑基底SRAM等新型存储技术。