英特尔代工服务宣布成功研制出目前全球*薄的氮化镓芯粒，其硅基衬底厚度仅为19微米（约发丝直径的五分之一）。这一突破的核心在于实现了氮化镓功率晶体管与传统硅基数字电路的单片集成，使电源管理芯粒自身具备计算能力，无需依赖外部辅助芯片。该技术旨在显著提升数据中心的电源能效和5G/6G通信基站的射频性能，并兼容现有的300毫米硅晶圆产线，具备快速产业化潜力。